Robert H. Dennard
Pomóż nam go sprawdzić: oceń zgłoszoną nominację.
| |
| Data i miejsce urodzenia |
5 września 1932 |
|---|---|
| Data i miejsce śmierci |
23 kwietnia 2024 |
| doktor | |
| Alma Mater | |
| Doktorat |
1958 |
| inżynier w IBM | |
Robert H. Dennard (ur. 5 września 1932 w Terrell, zm. 23 kwietnia 2024 w Sleepy Hollow) – amerykański inżynier, twórca pamięci DRAM.
Życiorys[edytuj | edytuj kod]
Urodził się 5 września 1932 r. w Terrell jako najmłodszy z czwórki dzieci Buforda i Lomy Dennardów. Jego rodzina przeniosła się, gdy miał cztery lata, wobec czego naukę rozpoczął w jednoizbowej szkole w Carthage[1]. Wychował się na farmie bez prądu[2]. Z czasem rodzina przeniosła się za pracą ojca do Irving. W młodości interesował się sztuką, czytał powieści H.G. Wellsa i poezję Ogdena Nasha i słuchał operetek Sigmunda Romberga. Jako uczeń wykazywał talent do matematyki i języka angielskiego[1]. Dzięki talentowi do gry na waltorni otrzymał stypendium[2] od rektora Southern Methodist University, które pozwoliło mu podjąć studia elektroniczne[2]. Tam w 1954 r. uzyskał licencjat, a dwa lata później magisterium. W Carnegie Institute of Technology uzyskał zaś stopień doktora[3].
Po uzyskaniu doktoratu podjął w 1958 r. pracę[3] jako członek zespołu badawczego w IBM. W związku z dużym rozmiarem i wymaganiami energetycznymi istniejącej pamięci RAM z rdzeniem magnetycznym, Dennard wraz z zespołem mikroelektroników opracował w 1964 r. nowy rodzaj pamięci komputerowej, który wymagał tylko sześciu tranzystorów do przechowywania jednego bitu informacji. Projekt ten uznano jednak za zbyt skomplikowany i powolny, więc Dennard zaczął pracę na systemem, w którym mógłby przechowywać bit informacji w jednym tranzystorze, co doprowadziło[2] w 1966 r.[4] do opracowania dynamicznej pamięci o dostępie swobodnym (DRAM)[2], która przechowuje informację w formie ładunku elektrycznego, który z czasem zanika, wobec czego musi być odnawiana[1]. W 1968 r. uzyskał patent na tę technologię[3], a łącznie był posiadaczem ok. 75 patentów[1]. W IBM pracował do 2014 r., gdy przeszedł na emeryturę[1].
Nowy typ pamięci wydatnie zwiększył możliwości przetwarzania danych, a jednocześnie obniżył koszt tych operacji[4]. Jego badania doprowadziły również do sformułowania teorii opartej na prawie Moore’a, która przewidywała postęp w dziedzinie półprzewodników, zgodnie z założeniem, że wydajność każdego wata wzrasta w przybliżeniu w tym samym tempie, zatem w miarę zmniejszania się rozmiarów tranzystorów wymagają one również mniejszej mocy[2].
Wyróżniony przez prezydenta Ronalda Reagana Narodowym Medalem Technologii (1988 r.)[3], Medalem Honorowym Institute of Electrical and Electronics Engineers (2009 r.), nagrodą Stowarzyszenia Przemysłu Półprzewodników im. Roberta N. Noyce’a[2], nagrodą National Academy of Engineering's Charles Stark Draper Prize, tytułem IBM fellow (1979 r.), członkostwem w U.S. National Academy of Engineering (1984 r.), członkostwem w U.S. National Inventors Hall of Fame (1997 r.), Kyoto Prize (2013) i Lemelson-MIT Lifetime Achievement Award (1988 r.)[3].
Życie prywatne[edytuj | edytuj kod]
Żonaty trzykrotnie[1], miał dwie córki, Amy i Holly[2] oraz syna Roberta Jr.
Zmarł 23 kwietnia 2024 r.[2] w Sleepy Hollow[4] z powodu infekcji bakteryjnej[1].
Przypisy[edytuj | edytuj kod]
- ↑ a b c d e f g Steve Lohr, Robert Dennard, IBM Inventor Whose Chip Changed Computing, Dies at 91, „The New York Times”, 16 maja 2024, ISSN 0362-4331 [dostęp 2024-05-20] (ang.).
- ↑ a b c d e f g h i Zmarł Robert Dennard, wynalazca pamięci DRAM i autor teorii skalowania półprzewodników [online], ITHardware, 5 sierpnia 2024 [dostęp 2024-05-20] (pol.).
- ↑ a b c d e Robert H. Dennard | Biography, Inventions, & Facts | Britannica [online], britannica.com, 18 maja 2024 [dostęp 2024-05-20] (ang.).
- ↑ a b c Zmarł inżynier, którego wynalazek jest dziś w każdym telefonie komórkowym i laptopie [online], Onet Wiadomości, 17 maja 2024 [dostęp 2024-05-20] (pol.).